近日，英特尔公司在美国旧金山举行的国际固态电路会议(ISSCC)上发布了15篇技术论文。以无线移动为主题，并秉承该公司提供从袖珍设备到其他CE设备以实现全面互联网体验的构想，英特尔详细介绍了其即将推出的基于45纳米高-K栅介质+金属栅极制造工艺、面向超便携设备和移动互联网设备(MID)的 “Silverthorne” 低功耗处理器架构。
英特尔研发人员还展示了其在开发低成本数字多无线接入方面取得的重大成就。该技术未来将让各种小型设备只用单一芯片就能处理多种无线电技术标准，其功耗将比当前较大体积的模拟设备大为降低。
此外，英特尔还披露了以下领域的更多信息：正在推进的万亿级(Terascale)计划，以及在实现可超过每秒一万亿次运算(或称作万亿次浮点运算， TeraFLOPS)的日常处理能力方面的进展;更多有关该公司45纳米高-K栅介质+金属栅极制造工艺的细节;首个集成20亿个晶体管的芯片——代号为“Tukwila”的下一代英特尔®安腾®处理器;以及英特尔公司在相变存储器方面的进展(即将成立的Numonyx公司)。
处理器技术
《一款1瓦以下到2瓦、基于45纳米高-K栅介质+金属栅极CMOS制造工艺、面向移动互联网设备的低功耗IA处理器》
“A Sub-1W to 2W Low-Power IA Processor for Mobile Internet Devices in 45nm High-К Metal-Gate CMOS”
英特尔披露了有关其新型低功耗IA微架构的细节，该微架构是采用45纳米高-K栅介质+金属栅极制造工艺Silverthorne处理器的基础，这种处理器专门针对第一代移动互联网设备。
·该微架构将与Core™ 2 Duo指令集完全兼容，基于双码、双发射的按序执行并拥有16级流水线。该微架构还将采用划时代的功耗管理技术，如Deep Power Down (C6)状态、无网格时钟分配、针对功耗优化的寄存器组、时钟门控、CMOS总线模式和分割式IO电源，可大幅度降低动态和泄漏功耗。
·得益于这些创新的功耗管理技术，采用45纳米高-K栅介质+金属栅极制造工艺的Silverthorne处理器可望达到将热功耗水平(TDP)降低10倍的效果(与英特尔2006年推出的超低电压单核处理器相比)，同时能够提供高性能以获得全部互联网体验和运行应用软件。
·该微架构系采用全新的设计，能以低于1瓦的功耗水平提供卓越性能。
《一款基于65纳米制造工艺、集成20亿个晶体管的4核安腾®处理器》
“A 65nm 2-Billion-Transistor Quad-Core ItaniumR Processor”
英特尔描述了世界首个集成20亿个晶体管的微处理器——代号为“Tukwila”的4核安腾处理器，它能实现性能和功能的飞跃，提供更高的系统集成度、先进的RAS功能以及更大的缓存。
·Tukwila展示了30MB的总体片上缓存，比目前的产品高出10%。
·新型高速QuickPath互连技术、双集成内存控制器与先进的互连RAS相结合。该4核安腾处理器拥有更高的带宽和更大的缓存，可让其性能比目前的英特尔®安腾® 9100系列处理器提高一倍。
·尽管系统集成度高(4核、QuickPath互连、集成内存控制器、先进的RAS、大型缓存等)，但是Tukwila比现有的安腾处理器有了超过两倍的性能提升，这是用于关键任务领域的安腾处理器的一项巨大成就。
·Tukwila展示了更优秀的软误差率 (SER)免疫功能。这表明尽管其逻辑电路数量比前一代安腾处理器多出3倍以上，带有先进RAS特性的针对软误差强化的电路被设计出来，旨在实现与前代处理器相当的 “Persocket SER”。
·Tukwila的电路设计允许通过电压和频率管理实现处理器功率和热封套的最优化使用，这样可以在必要时实现性能和节能之间的均衡。
·Tukwila第一版预计于今年底前面世。
